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J-GLOBAL ID：200903041900143919

ナノ構造体、その製造方法、細線構造体および光触媒

Inventor：
今田 彩

About 今田 彩

, 
田 透

About 田 透


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003209786
Publication number (International publication number)：2005076039
Application date： Aug. 29, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：
【課題】ナノメートルサイズのタングステンまたは酸化タングステン細線構造を簡易に大量に形成するナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】タングステンを主成分とする下地層とその上部に細孔形成層を形成して被加工物とする工程(1)と、前記細孔形成層に細孔構造を形成する工程(2)と、前記被加工物を陽極酸化して前記細孔構造の底部に酸化タングステン凸構造を形成し、前記酸化タングステン凸構造を成長させて酸化タングステン細線構造を形成する工程(3)を有するナノ構造体の製造方法。さらに、前記酸化タングステン細線構造を還元してタングステン細線構造とする工程を有する。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
タングステンを主成分とする下地層の上に細孔形成層を形成する工程(1)と、前記細孔形成層に細孔構造を形成する工程(2)と、前記被加工物を陽極酸化して前記細孔構造の底部に酸化タングステン凸構造を形成し、前記酸化タングステン凸構造を成長させて酸化タングステン細線構造を形成する工程(3)を有することを特徴とするナノ構造体の製造方法。
IPC (7)：
C25D11/26 ,  B01J23/652 ,  B01J35/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C25D11/04 ,  G12B21/02
FI (7)：
C25D11/26 A ,  B01J35/02 J ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C25D11/04 E ,  B01J23/64 103M ,  G12B1/00 601A
F-Term (21)：
4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA01A ,  4G069BA01B ,  4G069BA48A ,  4G069BB02A ,  4G069BB02B ,  4G069BB04A ,  4G069BB04B ,  4G069BC32A ,  4G069BC60A ,  4G069BC60B ,  4G069BC67A ,  4G069BC75A ,  4G069BC75B ,  4G069CA10 ,  4G069CA17 ,  4G069FA01 ,  4G069FA02 ,  4G069FB02 ,  4G069FB42
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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