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J-GLOBAL ID:200903041919098469
半導体製造のためのフォトリソグラフィ装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西川 惠清 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000245090
Publication number (International publication number):2001176792
Application date: Aug. 11, 2000
Publication date: Jun. 29, 2001
Summary:
【要約】【課題】 従来の装置より比較的小さい面積に設置することができ、新規工程の導入時にも容易に適用させることができる新しい形態の半導体製造のためのフォトリソグラフィ装置を提供するものである。【解決手段】 本発明の装置は第1ポート、第2ポート、塗布手段そして現像手段を含む。第1ポートと第2ポートは基板が出入する出入口であり、第2ポートは第1ポートから一定な距離に配置される。塗布手段は第1ポートと第2ポートの間を連結するように配置され、第1ポートと第2ポートの間で基板を移送させて塗布工程を実行する。現像手段は塗布部材と積層されるように配置され、第1ポートと第2ポートの間を連結するように配置され、第1ポートと第2ポートの間で基板を移送させて現像工程を実行する。このような本発明の装置によると、設備の稼動を安定的に維持することができる。かつ、従来の装置に比べて相対的に狭い面積に設けることができる。
Claim (excerpt):
塗布工程と現像工程を有する半導体製造のためのフォトリソグラフィ装置において、基板が出入される第1ポートと、前記第1ポートから一定な距離に配置され基板が出入される第2ポートと、前記第1ポートと前記第2ポートの間を連結するように配置され、前記第1ポートと第2ポートの間で基板を移送させると共に前記塗布工程を実行するための塗布手段、及び前記塗布手段と積層されるように位置され前記第1ポートと前記第2ポートの間を連結するように配置され、前記第1ポートと第2ポートの間で基板を移送させると共に前記現像工程を実行するための現像手段を含むことを特徴とする半導体製造のためのフォトリソグラフィ装置。
IPC (5):
H01L 21/027
, G03F 7/16 501
, G03F 7/20 521
, G03F 7/30 501
, B05C 13/02
FI (5):
G03F 7/16 501
, G03F 7/20 521
, G03F 7/30 501
, B05C 13/02
, H01L 21/30 562
F-Term (15):
2H025AB16
, 2H025EA05
, 2H096AA25
, 2H096GA21
, 2H096GA29
, 4F042AA07
, 4F042BA08
, 4F042DF01
, 4F042DF15
, 5F046JA22
, 5F046JA27
, 5F046KA07
, 5F046LA11
, 5F046LA18
, 5F046LA19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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フォトリソプロセス装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-359035
Applicant:シャープ株式会社
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基板処理装置及び基板処理システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-352708
Applicant:大日本スクリーン製造株式会社
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特開平1-179317
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基板処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-056534
Applicant:大日本スクリーン製造株式会社
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