p型III族窒化物半導体、その製造方法およびそれを用いた半導体発光素子の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柿沼伸司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000110776
Publication number (International publication number)：2001298213
Application date： Apr. 12, 2000
Publication date： Oct. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】700〜900°Cの温度で熱処理を行い、p型不純物を活性化してp型III族窒化物半導体を製造する従来の技術では、InxGa1-xN結晶が相分離やスピノーダル分解を引き起こし劣化しやすい、あるいはIII族窒化物半導体結晶の最表面がダメージを受けるなどの問題がある。【解決手段】熱処理を行う際の気相雰囲気中に、O2、O3、N2Oなどの酸化性のガスを含ませることで、熱処理の温度を低くしても十分なキャリア濃度を有するp型III族窒化物半導体を製造することができる。

Claim (excerpt)：

p型不純物がドープされたIII族窒化物半導体を、酸化性のガスを含む気相雰囲気中で、300°Cから600°Cの範囲の温度で熱処理することを特徴とするp型III族窒化物半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 21/324

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 21/324 C

F-Term (14)：

5F041AA44 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC19 , 5F045CA11 , 5F045HA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

p型III-V族窒化物半導体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-163120 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体発光素子の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-252520 Applicant：ローム株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-019748 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所

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