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J-GLOBAL ID：200903014889504389

半導体発光素子の製法

Inventor： 筒井 毅
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998252520
Publication number (International publication number)：2000091637
Application date： Sep. 07, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】 チッ化ガリウム系化合物半導体を積層する半導体発光素子のp形層の活性化のための熱処理を短時間でしかも確実に活性化することができる半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】 基板1上に少なくともn形層3とp形層5を含み、発光層を形成するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、その積層した半導体層のp形層5の活性化のための熱処理を行う場合に、前記熱処理を酸素を含む雰囲気で行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくともn形層とp形層を含み、発光層を形成するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層した半導体層のp形層の活性化のための熱処理を行う半導体発光素子の製法であって、前記熱処理を酸素を含む雰囲気で行うことを特徴とする半導体発光素子の製法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/324

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/324 C

F-Term (19)：

4M104AA04 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-019748   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• オーミック電極およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-213117   Applicant：ソニー株式会社
• 化合物半導体太陽電池の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-175851   Applicant：松下電池工業株式会社
• 半導体基板の製造方法およびこの半導体基板を用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-302608   Applicant：ソニー株式会社
• 3族窒化物半導体の電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-307156   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-202820   Applicant：株式会社東芝
• 発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-044406   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-011227   Applicant：ローム株式会社