窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997019748
Publication number (International publication number)：1998209493
Application date： Jan. 17, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】GaN 系化合物半導体のp型低抵抗化と電極の合金化における特性を良好とすること。【解決手段】GaN のn+ 層13、n型GaN のクラッド層14、発光層15、Mgの添加されたAlGaN のクラッド層16、Mgの添加されたGaN のコンタクト層17、透光性電極18A、電極18Bを有する発光素子の製法において、n+ 層13の上側にある層の一部をエッチングして、n+ 層13の表面を露出させ、コンタクト層17上に透光性電極18Aを形成し、n+ 層13の露出面に電極18Bを形成し、少なくとも酸素を含むガス中において、500〜600°Cの範囲で熱処理し、p型低抵抗化と合金化処理を同時に行う。低い温度でも極めて良好な低抵抗が得られる。

Claim (excerpt)：

p型窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法において、p型不純物の添加された窒化ガリウム系化合物半導体を少なくとも酸素を含むガス中において、熱処理することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-236482 Applicant：ローム株式会社
半導体光電素子に対するITO膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-355541 Applicant：大同特殊鋼株式会社
半導体発光素子の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-326334 Applicant：ローム株式会社

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