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J-GLOBAL ID：200903042142663058

低消費電力磁気メモリ及び磁化情報書き込み装置

Inventor： 早川 純 ,  大野 英男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学
Agent (1)： 平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004279648
Publication number (International publication number)：2006093578
Application date： Sep. 27, 2004
Publication date： Apr. 06, 2006
Summary：

【課題】超低消費電力な高集積磁気メモリを提供する。【解決手段】自由層311と、自由層の膜厚方向に形成された第一の固定層313と、自由層と第一の固定層との間に形成された絶縁障壁層312とを有する第一の素子部と、前記自由層311と、自由層の膜面方向に形成された第二の固定層315と、自由層と第二の固定層との間に形成された非磁性層314とを有する第二の素子部を備える。磁化情報の書き込みに際しては第二の素子部の膜面方向に電流Iwを流し、磁化情報の読み出しに際しては第一の素子部の膜厚方向に電流IRを流す。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

自由層と、前記自由層の膜厚方向に形成された第一の固定層と、前記自由層と第一の固定層との間に形成された絶縁障壁層とを有する第一の素子部と、 前記自由層と、前記自由層の膜面方向に形成された第二の固定層と、前記自由層と第二の固定層との間に形成された非磁性層とを有する第二の素子部と、 前記第一の素子部の膜厚方向に電流IRを流す手段と、 前記第二の素子部の膜面方向に電流Iwを流す手段とを備え、 前記自由層の磁化が前記電流Iwにより磁化反転することで磁化情報が書き込まれ、前記自由層の磁化方向が電流IRにより検出されることを特徴とする磁気メモリ。

IPC (4)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (3)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 140 ,  H01L43/08 Z

F-Term (9)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 米国特許第5,695,864号明細書
  
• 記憶機能を有する3層構造磁気スピン極性化装置と当該装置を使用した記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-375089   Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク

Cited by examiner (3)

• 固体磁気素子及び固体磁気素子アレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-094876   Applicant：株式会社東芝
• 磁気セル及び磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-396201   Applicant：株式会社東芝
• 外部磁場を使用することなく磁化反転を制御するデバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-522939   Applicant：タレス