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J-GLOBAL ID：200903042165938119

外部共振器型レーザ光源

Inventor：
浅見 圭助

About 浅見 圭助


Applicant, Patent owner：
安藤電気株式会社

About 安藤電気株式会社


Agent (1)： 荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000094212
Publication number (International publication number)：2001284715
Application date： Mar. 30, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 外部共振器型レーザ光源において、各種光学素子の損失により半導体レーザへの帰還効率が低下しても、マルチモード発振やモードホップといった不安定発振を抑えて、発振状態を安定にする。【解決手段】 一方の端面に反射防止膜1Aが施された半導体レーザ1を備え、半導体レーザ1の反射防止膜1A側の端面からの出射光を平行光に変換し、平行光を回折格子2で波長選択したのちミラー3で再び回折格子2に戻し、回折格子2で再度波長選択して半導体レーザ1に帰還させると共に、半導体レーザ1のもう片方の端面からの出射光を光ファイバ4に集光して出力する外部共振器型レーザ光源において、半導体レーザ1の反射防止膜1Aを施していない側の端面には、所定の反射率特性を具備する増反射膜1Bを施す。
Claim (excerpt)：
一方の端面に反射防止膜が施された半導体レーザを備え、前記半導体レーザの反射防止膜側の端面からの出射光を平行光に変換し、波長選択光学素子で波長選択したのちミラーで再び波長選択光学素子に戻し、波長選択光学素子で再度波長選択して前記半導体レーザに帰還させると共に、前記半導体レーザのもう片方の端面からの出射光を光ファイバに集光して出力する外部共振器型レーザ光源において、前記半導体レーザの反射防止膜を施していない側の端面には、所定の反射率特性を具備する増反射膜を施すことを特徴とする外部共振器型レーザ光源。
IPC (2)：
H01S 5/14 ,  H01S 5/028
FI (2)：
H01S 5/14 ,  H01S 5/028
F-Term (8)：
5F073AA63 ,  5F073AA83 ,  5F073AB25 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073AB29 ,  5F073AB30 ,  5F073EA17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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