Pat
J-GLOBAL ID:200903042210853472

酸化物半導体電極の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高橋 祥泰 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998189225
Publication number (International publication number):2000021462
Application date: Jul. 03, 1998
Publication date: Jan. 21, 2000
Summary:
【要約】【課題】 酸化物半導体層の比表面積を低下させることなく,電子の移動制限を緩和することができ,エネルギー変換効率に優れた,酸化物半導体電極の製造方法を提供すること。【解決手段】 高比表面積を有する基材7上に酸化物半導体を析出又は被覆させて酸化物半導体層21を形成し,次いで基材7を除去することにより,酸化物半導体層21からなる酸化物半導体電極2を得る。
Claim (excerpt):
高比表面積を有する基材上に酸化物半導体を析出又は被覆させて酸化物半導体層を形成し,次いで上記基材を除去することにより,酸化物半導体層からなる酸化物半導体電極を得ることを特徴とする酸化物半導体電極の製造方法。
IPC (3):
H01M 14/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 31/04
FI (3):
H01M 14/00 P ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 31/04 H
F-Term (16):
4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD86 ,  4M104FF01 ,  4M104GG05 ,  4M104HH20 ,  5F051AA14 ,  5F051FA01 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB06 ,  5H032EE16
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page