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J-GLOBAL ID：200903042255651854

半導体装置および非晶質高誘電体膜の堆積方法

Inventor：
小坂 裕子

About 小坂 裕子

, 
山崎 隆浩

About 山崎 隆浩

, 
金田 千穂子

About 金田 千穂子


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002193789
Publication number (International publication number)：2004039813
Application date： Jul. 02, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：
【課題】活性化熱処理で結晶化しない非晶質高誘電体膜を提供する。【解決手段】非晶質高誘電体膜2中の膜厚方向の組成分布を、基板1に近い側で高誘電率の金属酸化物を多く含有し、基板1から遠い側で結晶化を抑制する絶縁性酸化物を多く含有するようにする。結晶化が起こりやすい基板1から遠い側を、結晶化を抑制する絶縁性酸化物を多くして結晶化を抑制する。一方、結晶化しにくい基板1に近い側では、高誘電率の金属酸化物を多くして、非晶質高誘電体膜2の実効誘電率を高くする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上に形成された非晶質高誘電体膜を有する半導体装置において、 該非晶質高誘電体膜は、高誘電率を有する金属酸化物と、非晶質相の結晶化温度が該金属酸化物より高温の絶縁性酸化物とを含有する混合酸化物からなり、 該非晶質高誘電体膜中の膜厚方向の組成分布は、該金属酸化物の該絶縁性酸化物に対する組成比が該基板から離れるにつれ小さくなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L21/316 ,  C23C16/30 ,  H01L29/78
FI (3)：
H01L21/316 X ,  C23C16/30 ,  H01L29/78 301G
F-Term (42)：
4K030BA01 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030BB05 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BF02 ,  5F058BF22 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD16 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BG08 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140DB00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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