薄膜構造のための多重膜、これを用いたキャパシタ及びそれらの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000320000
Publication number (International publication number)：2001160557
Application date： Oct. 19, 2000
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】薄膜構造のための多重膜、これを用いたキャパシタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、相互作用パラメータが相異なる物質元素をそれぞれ含んでなる下部物質層及び上部物質層の界面に組成転移層が導入される多重膜を提供する。組成転移層は上部物質層をなす元素及び下部物質層をなす元素の両方を含んで、下部物質層上から上部物質層に至るまでの濃度勾配を持って、上部物質層に隣接する部分で上部物質層を構成する元素の濃度が相対的に大きい。このような下部物質層または上部物質層はアルミニウム、シリコン、ジルコニウム、セリウム、チタニウム、イットリウム、タンタルまたはニオビウムの酸化物または窒化物よりなる。

Claim (excerpt)：

相異なる物質元素をそれぞれ含んでなる下部物質層及び上部物質層と、前記下部物質層及び前記上部物質層の界面に前記上部物質層をなす元素及び前記下部物質層をなす元素の両方を含んで導入されて、前記下部物質層上から前記上部物質層に至るまでの濃度勾配を持って、前記上部物質層に隣接する部分で前記上部物質層を構成する元素の濃度が相対的に大きい組成転移層と、を含むことを特徴とする薄膜構造ための多重膜。

IPC (6)：

H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (5)：

H01L 21/316 X , H01L 21/318 B , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

不揮発性半導体記憶装置、その製造方法、その書き込み方法、その読み出し方法、記録媒体並びに半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-108123 Applicant：新日本製鐵株式会社
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-025312 Applicant：株式会社東芝
誘電体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-175378 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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Cited by examiner (10)

誘電体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-175378 Applicant：セイコーエプソン株式会社
不揮発性半導体記憶装置、その製造方法、その書き込み方法、その読み出し方法、記録媒体並びに半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-108123 Applicant：新日本製鐵株式会社
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-025312 Applicant：株式会社東芝

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