半導体ウェーハの表面基準研磨装置

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：佐藤隆久 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994049568
Publication number (International publication number)：1995263386
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】ウェーハの研磨にあたり表面(すなわち研磨面)を基準として研磨することを前提に、かかる表面基準の研磨においてウェーハの平坦度を高め、もって研磨工程の自動化を実現する。【構成】研磨すべき半導体ウェーハWを保持する保持プレート1と研磨布3を有する研磨用定盤2とを対向して配置し、前記保持プレートに保持された半導体ウェーハを前記研磨用定盤の研磨布に押しつけて保持プレートと研磨用定盤とを相対的に回転させることにより、半導体ウェーハを研磨する。保持プレートと半導体ウェーハとの間に設けられ、半導体ウェーハを吸着保持するための弾性体からなるバッキング部材4と、半導体ウェーハを包囲するようにバッキング部材に対して位置固定に設けられた繊維強化プラスチックスからなる表面基準プレート5とを有する。

Claim (excerpt)：

研磨すべき半導体ウェーハを保持する保持プレートと研磨面が形成された研磨用定盤とを対向して配置し、保持プレートに保持された半導体ウェーハを研磨用定盤の研磨面に押しつけて保持プレートと研磨用定盤とを相対的に回転させて半導体ウェーハを研磨する研磨装置において、前記保持プレートと前記半導体ウェーハとの間に設けられ、前記半導体ウェーハを吸着保持する弾性体からなるバッキング部材と、前記半導体ウェーハを包囲するように前記バッキング部材に対して位置的に固定して設けられた繊維強化プラスチックスからなる表面基準プレートとを備えたことを特徴とする半導体ウェーハの表面基準研磨装置。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , B24B 37/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭64-034661
特開昭64-034661
特開昭63-093562

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