電界放出型電子源及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997090457
Publication number (International publication number)：1998255646
Application date： Apr. 09, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】陰極の放出サイトを増加させて陰極の電流放出特性を大きく向上させても、電子放出の均一性及び素子特性の安定性が得られるようにする。【解決手段】シリコン基板11の上には、アレイ状の陰極形成領域にそれぞれ円形状の開口部を有する下部酸化シリコン膜16A及び上部酸化シリコン膜18Aよりなる絶縁膜を介して引き出し電極19Aが形成されている。下部酸化シリコン膜16A、上部酸化シリコン膜18A及び引き出し電極19Aの開口部の内部には、円形断面を持つタワー形状の陰極17が形成されており、該陰極17の先端部は結晶異方性エッチングとシリコンの熱酸化プロセスとによって形成された半径2nm以下の急峻な形状を有している。シリコン基板11における下部酸化シリコン膜16A及び上部酸化シリコン膜18Aの開口部に露出した領域及び陰極17の表面は、レーザアブレーション法により形成された超微粒子構造体からなる表面被覆層20により覆われている。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に絶縁膜を介して形成され、陰極形成領域に開口部を有する引き出し電極と、前記基板上における前記引き出し電極の開口部内に形成された陰極と、前記陰極の表面に形成され、超微粒子構造体よりなる表面被覆層とを備えていることを特徴とする電界放出型電子源。

IPC (2)：

H01J 1/30 , H01J 9/02

FI (3)：

H01J 1/30 Z , H01J 1/30 C , H01J 9/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電界効果電子ソースおよびその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-306382 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク
電界放出電子エミッタ及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-241326 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
微小電界放出陰極及びディスプレイ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-042735 Applicant：富士通株式会社

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