半導体素子及びその製造方法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001285674
Publication number (International publication number)：2003101149
Application date： Sep. 19, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】ヘテロ接合構造を有する半導体素子において、成長方向に貫通する貫通転位密度を減少し、信頼性を高める。【解決手段】サファイア基板100上に、GaNバッファ層101,ボンド極性反転層102,AlxGa1-xN層103,n-GaNコンタクト層104からなる構造を基礎としている。ボンド極性反転層102は、その下からの転位D1,D2,・・・・・,D8の伝播を阻止するための層で、固溶度と同程度若しくは固溶度以上の高濃度にマグネシウム(Mg)をドープしたGaN層102である。ボンド極性反転層102は、結晶格子を構成しているボンドの周期的な配列が、一部で反転している層である。また、AlxGa1-xN層103は、ボンド極性反転層102の表面に生じる凹凸を平坦化させるための層である。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板の上部のバッファ層と、該バッファ層の上部に配置され、格子間ボンドの極性が、完全結晶に比して反転した極性の格子面の領域を少なくとも一部に含むボンド極性反転層と、該ボンド極性反転層の上方に位置し、前記基板とは材料若しくは格子定数の異なる半導体領域と、該半導体領域に電流を供給する電極とを具備することを特徴とする半導体素子。

IPC (4)：

H01S 5/323 610 , H01L 21/205 , H01S 5/183 , H01S 5/22

FI (4)：

H01S 5/323 610 , H01L 21/205 , H01S 5/183 , H01S 5/22

F-Term (30)：

5F045AA04 , 5F045AB06 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB22 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F073AA04 , 5F073AA11 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA71 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073CA07 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB19 , 5F073DA05 , 5F073DA16 , 5F073DA35 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

化合物半導体の結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-063248 Applicant：松下電工株式会社
半導体層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-354563 Applicant：理化学研究所, 田中悟, 武内道一
特開平3-161922

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Cited by examiner (1)

化合物半導体の結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-063248 Applicant：松下電工株式会社

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