フラッシュROM管理方法及び装置及びコンピュータ制御装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚康徳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995251234
Publication number (International publication number)：1997097206
Application date： Sep. 28, 1995
Publication date： Apr. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】フラッシュROMにおけるデータの読み出し・書き込みの単位(記憶単位)を消去単位よりも小さくして管理することを可能とし、消去単位の大きいフラッシュROMをファイルシステムに整合させる。【解決手段】フラッシュROMに複数のデータ部157、及び各データ部に対応する管理領域(セクタ番号154、使用中フラグ155、使用済フラグ156で構成される)を形成して記憶管理を行う。データの書込みにおいては、データの書込み先を示す論理セクタ番号を伴う書込み指示を受けて、複数のデータ部のうちの一つにデータを書き込むと共に、対応する管理領域にその論理セクタ番号を書き込む。また、データの読み出し時は、データの読み出し元を示す論理セクタ番号を伴う読出し指示を受けて、該論理セクタ番号が格納された管理領域を検索し、検索された管理領域に対応するデータ部に格納されたデータを読み出す。

Claim (excerpt)：

フラッシュROMに形成された複数のデータ領域、及び各データ領域に対応する管理領域と、データの書込み先を示す指定情報を伴う書込み指示を受けて、前記複数のデータ領域のうちの一つのデータ領域にデータを書き込むと共に、該指定情報を該データ領域に対応する管理領域に書き込む書込み手段と、データの読み出し元を示す指定情報を伴う読出し指示を受けて、該指定情報が格納された管理領域を検索し、検索された管理領域に対応するデータ領域に格納されたデータを読み出す読出し手段とを備えることを特徴とするフラッシュROM管理装置。

IPC (3)：

G06F 12/02 510 , G06F 12/00 501 , G11C 16/06

FI (3)：

G06F 12/02 510 A , G06F 12/00 501 H , G11C 17/00 309 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-197318 Applicant：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
フラッシュメモリを使用した記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-318159 Applicant：株式会社日立製作所
不揮発性半導体メモリのファイル構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-356593 Applicant：インテル・コーポレーション

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