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J-GLOBAL ID：200903042516971142

気相成長装置および気相成長装置の温度検出方法ならびに温度制御方法

Inventor：
石橋 昌幸

About 石橋 昌幸

, 
土肥 敬幸

About 土肥 敬幸


Applicant, Patent owner：
三菱住友シリコン株式会社

About 三菱住友シリコン株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001389780
Publication number (International publication number)：2003197535
Application date： Dec. 21, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、気相成長装置におけるウェーハ裏面の温度を正確に測定すると共にウェーハの正確な加熱温度制御をする方法を提供する。【解決手段】 貫通孔を有するサセプターを用いる気相成長装置でウェーハの温度計測をおこなうにあたり、ウェーハ表面と裏面に温度検出手段を有し、裏面側はサセプターの貫通孔に影響を受けない位置にて計測すること、ならびに裏面側の温度計測が得られない場合には裏面側は表面側電力に実験等で決定した係数をかけた電力で加熱する温度制御をすることにより解決できる。
Claim (excerpt)：
厚み方向に貫通孔が形成されたサセプターを配設した気相成長装置において、ウェーハ表面側の温度を測定する第1の温度検出手段と、ウェーハ裏面側の温度を測定する第2の温度検出手段とを有することを特徴とする気相成長装置。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/66
FI (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/66 T
F-Term (18)：
4K030CA12 ,  4K030HA14 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030KA24 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4M106AA01 ,  4M106BA08 ,  4M106DH14 ,  5F045AA05 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EK12 ,  5F045EK13 ,  5F045EK14 ,  5F045EK22 ,  5F045GB05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特開平4-056145
  • 基板温度のモニタ方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-281249   Applicant：株式会社日立製作所
  • 半導体製造装置用部材
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-362142   Applicant：旭硝子株式会社
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