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J-GLOBAL ID：200903091099213621

半導体製造装置用部材

Inventor： 入沢 直志 ,  蔭山 信夫 ,  鈴木 すすむ ,  滝本 康幸
Applicant, Patent owner： 旭硝子株式会社
Agent (1)： 松井 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997362142
Publication number (International publication number)：1999176710
Application date： Dec. 11, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 SiC又はSiO2 を母材とする半導体製造装置用部材の透明度を低くする。【解決手段】 SiC又はSiO2 を母材とする半導体製造装置用部材の一部の面にSi被膜を形成する。ただし、SiO2 を母材とする部材の場合は、Si被膜の下地となる面の平均表面粗さRaを0.1〜5μmとする。ランプアニール装置のサセプタ4や、ダミーウエハとして好適である。

Claim (excerpt)：

SiCを母材とする部材であって、その少なくとも一部の面にSi被膜が形成されていることを特徴とする半導体製造装置用部材。

IPC (3)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511

FI (3)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 成膜用基板および電気素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-182545   Applicant：日本酸素株式会社
• 気相成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-000578   Applicant：東芝機械株式会社
• 基板の光照射式熱処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-195963   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
• プレートヒータ及びその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-046840   Applicant：株式会社エイコー, 日新電機株式会社
• 基板上の膜堆積均一性を改善する方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-169123   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 気体不純物の捕獲方法及び半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-140272   Applicant：日本電気株式会社
• ダミーウェハー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-218897   Applicant：辰巳良昭, 宮下欣也
• SiCダミーウエハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-286131   Applicant：三井造船株式会社, 株式会社アドマップ
• 半導体製造装置用材料及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-043628   Applicant：住友金属工業株式会社, 住友シチックス株式会社
• ダミーウェハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-103887   Applicant：東芝セラミックス株式会社