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J-GLOBAL ID：200903042673808018

光ディスク用誘電体ターゲット及び成膜方法

Inventor： 太田 淳 ,  森中 泰三 ,  谷 典明 ,  川村 裕明 ,  石橋 暁 ,  高橋 一寿
Applicant, Patent owner： 株式会社アルバック ,  真空冶金株式会社
Agent (1)： 打揚 洋次 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001294000
Publication number (International publication number)：2003099995
Application date： Sep. 26, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ターゲット抵抗の低いスパッタ用ZnS系誘電体ターゲット、並びにこのターゲットを用いて非結晶性の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する成膜方法及び製造装置の提供。【解決手段】 ZnS系誘電体材料に対して、0〜5mol%のAl2O3を配合したZnOが5〜30mol%分散されたターゲット。この誘電体材料は、ZnS単体又はZnSに対して5mol%以下のIn2O3、SnO2、若しくはITO(In2O3+SnO2)が配合されたものである。該ターゲットに50〜400kHzの周波数をDCに重畳させて印加できるように構成されたスパッタ電源を備えた成膜装置を用いて、スパッタ法により、基板上に、非結晶の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する。

Claim (excerpt)：

ZnS系誘電体材料を主成分とし、該材料に対して、0〜5mol%のAl2O3を配合したZnOが5〜30mol%分散されていることを特徴とする光ディスク用誘電体膜を形成するためのスパッタ用ターゲット。

IPC (3)：

G11B 7/26 531 ,  C04B 35/547 ,  C23C 14/34

FI (3)：

G11B 7/26 531 ,  C23C 14/34 A ,  C04B 35/00 T

F-Term (20)：

4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA39 ,  4G030AA56 ,  4G030BA09 ,  4G030BA14 ,  4G030GA11 ,  4K029BA51 ,  4K029BC00 ,  4K029BC07 ,  4K029BD12 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029EA09 ,  5D121AA04 ,  5D121EE03 ,  5D121EE09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-252058   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-000803   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 光学薄膜の製造方法及び光学部材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-102955   Applicant：キヤノン株式会社