直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：富田和夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000000803
Publication number (International publication number)：2001192820
Application date： Jan. 06, 2000
Publication date： Jul. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】二酸化ケイ素:10〜30モル%、インジウム・錫複合酸化物およびアンチモン・錫複合酸化物の内のいずれか1種または2種を合計で5〜35モル%を含有し、残部がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

二酸化ケイ素:10〜30モル%、インジウム・錫複合酸化物およびアンチモン・錫複合酸化物の内のいずれか1種または2種を合計で5〜35モル%を含有し、残部がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする直流スパッタリング可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (3)：

C23C 14/34 , C04B 35/00 , G11B 7/26

FI (3)：

C23C 14/34 A , G11B 7/26 , C04B 35/00 H

F-Term (15)：

4G030AA34 , 4G030AA37 , 4G030AA39 , 4G030AA42 , 4G030AA56 , 4G030BA16 , 4G030GA29 , 4K029BD00 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 5D121AA04 , 5D121EE03 , 5D121EE09 , 5D121EE11 , 5D121EE14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-307466 Applicant：三菱マテリアル株式会社
電源装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-102258 Applicant：オムロン株式会社
スパッタターゲットおよびその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-100966 Applicant：ライボルトマテリアルスゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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