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J-GLOBAL ID:200903042858859980

化学・物理現象検出装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006103253
Publication number (International publication number):2007278760
Application date: Apr. 04, 2006
Publication date: Oct. 25, 2007
Summary:
【課題】 累積型化学・物理現象検出装置の感度を向上させる。【解決手段】 センシング部の電荷をフローティングディフュージョン部へ移動した後にフローティングディフュージョンの電位変化を、FETを用いて読み出す。このFETに、より低雑音なJFET(接合型電界効果トランジスタ)を用いることを特徴とする。さらにフローティングディフュージョン領域とJFETのゲート電極を兼ね合わせた構造とし、小型化と更なる低雑音化を図る。【選択図】 図4
Claim (excerpt):
センシング部の電荷をフローティングディフュージョン部へ累積させ、該フローティングディフュージョン部に蓄積された電荷に基づく出力信号から化学・物理量を特定する化学・物理現象検出方法であって、該フローティングディフュージョン部の電位変化を接合型電界効果トランジスタ(Junction Field-Effect Transistor:JFET)で検出することを特徴とする化学・物理現象検出装置。
IPC (3):
G01N 27/414 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808
FI (2):
G01N27/30 301Z ,  H01L29/80 C
F-Term (5):
5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (6)
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