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J-GLOBAL ID：200903043081856792

半導体装置の作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  大沼 英人 ,  高野 圭恵 ,  三津木 亨
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002020463
Publication number (International publication number)：2002305148
Application date： Jan. 29, 2002
Publication date： Oct. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】 レーザ光の照射による結晶化法は、得られる結晶質半導体膜の表面に凸部(リッジ)を多数形成し、膜質を低下させてしまう。そこで、リッジの少ない半導体膜を形成し、該半導体膜を用いる半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明において、半導体膜に対してレーザ光による結晶化を行なった後に、ランプ光源から発した光を照射する熱処理方法(RTA法:ラピッドサーマルアニール法)により前記半導体膜を加熱することで、リッジを低減することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1の半導体膜に加熱処理を行なって第2の半導体膜を形成し、前記第2の半導体膜にレーザ光を照射して複数の凸部を有する第3の半導体膜を形成し、前記第3の半導体膜に強光を照射して第4の半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G

F-Term (100)：

2H092JA24 ,  2H092JB56 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA24 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  2H092PA13 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB05 ,  5F052BB07 ,  5F052CA08 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

• 多結晶珪素作製装置およびその動作方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-336058   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭63-207125
  
• 半導体薄膜処理方法及び絶縁膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-011064   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体薄膜、半導体装置および半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-255644   Applicant：シャープ株式会社
• 薄膜半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-086458   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-042147   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-123284   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-277359   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-199982   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-104978   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-345632   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-340724
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-252088   Applicant：セイコーエプソン株式会社