現像欠陥防止プロセス及び材料

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鐘尾宏紀 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000191364
Publication number (International publication number)：2002006514
Application date： Jun. 26, 2000
Publication date： Jan. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】8インチ以上の大口径基板における現像時のレジスト現像欠陥を低減するとともに、処理雰囲気の影響および表面コーティングとレジストとのインターミックスなどにより引き起こされる、特に化学増幅型フォトレジストのエッチング工程に不都合なT-トップ、ラウンドトップなどのパターン形状の劣化のないレジストパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】8インチ以上の基板上に形成された化学増幅型フォトレジスト膜上に、例えば界面活性剤を含有する酸性組成物からなる現像欠陥低減用組成物を塗付することにより、レジスト表面を親水化するとともにレジスト表面に現像液に対する難溶化層を形成せず、かつ現像欠陥低減用組成物からの適当な酸拡散度により、露光、現像後の前記化学増幅型フォトレジストの膜厚の減少量を、現像欠陥低減用組成物を塗付しない場合に比べて更に10Å〜500Å大きくするレジストパターンの形成方法。

Claim (excerpt)：

8インチ以上の基板上に化学増幅型フォトレジスト膜を塗付形成する工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜上に現像欠陥低減用組成物を塗布する工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜を塗付形成する工程および前記現像欠陥低減用組成物を塗布する工程の少なくともいずれかの工程の後においてベークする工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜を選択的に露光する工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜を露光後ベークする工程と、前記化学増幅型フォトレジスト膜の現像を行う工程を含み、現像処理後の前記化学増幅型フォトレジストの膜厚の減少量を、現像欠陥低減用組成物を塗付しない場合に比べて更に10Å〜500Å大きくすることを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2)：

G03F 7/38 501 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/38 501 , H01L 21/30 565

F-Term (9)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA01 , 2H096DA04 , 2H096EA03 , 2H096EA04 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 5F046JA22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

水溶性膜材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-252849 Applicant：信越化学工業株式会社
レジスト用塗布液及びそれを用いたレジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-327610 Applicant：東京応化工業株式会社
オーバーコート材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-177575 Applicant：日本電信電話株式会社, 信越化学工業株式会社

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