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J-GLOBAL ID：200903043372943536

フォトマスクの製造方法

Inventor： 川島 光 ,  山田 義孝
Applicant, Patent owner： 株式会社ルネサステクノロジ
Agent (3)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003069693
Publication number (International publication number)：2004279643
Application date： Mar. 14, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】フォトマスクのパターン形状を補正する際に、数μmの領域内で生じる光近接効果などに対する補正だけでなく、より広い領域内で生じるパターンの疎密に対する補正も行うことができるフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】まず、露光時に使用されるフォトマスク3が、隣接するマスクパターン間のスペースと前記マスクパターンの形状に応じて、前記マスクパターンの形状を補正する補正方法を行う。次に、フォトマスク3を複数のメッシュMに分割し、各々のメッシュMにおけるマスクパターンの占有率Rに応じてフォトマスク3のパターン形状を補正する補正方法を行う。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造に用いられるフォトマスクの製造方法であって、 隣接するマスクパターン間のスペースと前記マスクパターンの形状に応じて、前記マスクパターンの形状を補正する第1補正と、 前記フォトマスクを複数の領域に分割し、各々の領域における前記マスクパターンの占有率に応じて前記フォトマスクのパターン形状を補正する第2補正とを行うことを特徴とする、 フォトマスクの製造方法。

IPC (1)：

G03F1/08

FI (2)：

G03F1/08 A ,  G03F1/08 D

F-Term (3)：

2H095BB01 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• フォトマスク及びその製造方法、並びにそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-245367   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-147112   Applicant：三星電子株式会社
• 露光用マスクのマスクパターン設計方法、並びに半導体集積回路の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-147532   Applicant：ソニー株式会社
• 電子線露光用描画データの作成方法及び電子線描画方法並びにフォトマスク、X線マスク及び荷電ビーム投影露光用マスクの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-085161   Applicant：凸版印刷株式会社