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J-GLOBAL ID:200903024613858069
露光用マスクのマスクパターン設計方法、並びに半導体集積回路の作製方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山本 孝久
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997147532
Publication number (International publication number):1998293391
Application date: Jun. 05, 1997
Publication date: Nov. 04, 1998
Summary:
【要約】【課題】第1の被処理層に形成されたパターン面積率の大小に依存することなく、第2の被処理層の平坦化処理を行うことを可能とする、露光用マスクのマスクパターン設計方法を提供する。【解決手段】マスクパターン設計方法は、(イ)マスクパターンを所定の大きさの碁盤目状のメッシュに区切り、各メッシュ(i,j)におけるパターン面積率α0(i,j)を求める工程と、(ロ)メッシュ(i,j)を中心としたマスクパターンの所定の領域内における、パターン面積率平均値β(i,j)を求める工程と、(ハ)パターン面積率平均値β(i,j)が規定の値未満であるメッシュ(i,j)にダミーパターンを配する工程から成る。
Claim (excerpt):
基板の上に形成された第1の被処理層にパターンを形成し、次いで、全面に第2の被処理層を形成した後、該第2の被処理層をケミカル・メカニカル・ポリッシュ法にて平坦化して半導体集積回路を作製する際、該パターン形成のために用いられる露光用マスクに形成すべきマスクパターンの設計方法であって、(イ)マスクパターンを所定の大きさの碁盤目状のメッシュに区切り、各メッシュ(i,j)におけるパターン面積率α0(i,j)を求める工程と、(ロ)メッシュ(i,j)を中心としたマスクパターンの所定の領域内における、パターン面積率平均値β(i,j)を求める工程と、(ハ)パターン面積率平均値β(i,j)が規定の値未満であるメッシュ(i,j)にダミーパターンを配する工程、から成ることを特徴とする露光用マスクのマスクパターン設計方法。
IPC (3):
G03F 1/08
, G06F 17/50
, H01L 21/027
FI (4):
G03F 1/08 A
, G06F 15/60 658 M
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 502 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (11)
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平坦性のシミュレーション方法
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Application number:特願平7-154835
Applicant:三菱電機株式会社
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Application number:特願平9-237832
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
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半導体ウェハを平坦化する方法
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Application number:特願平9-272516
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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半導体装置の製造方法
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半導体装置の製造方法
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