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J-GLOBAL ID：200903024613858069

露光用マスクのマスクパターン設計方法、並びに半導体集積回路の作製方法

Inventor：
▲高▼橋 洋

About ▲高▼橋 洋


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997147532
Publication number (International publication number)：1998293391
Application date： Jun. 05, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】第1の被処理層に形成されたパターン面積率の大小に依存することなく、第2の被処理層の平坦化処理を行うことを可能とする、露光用マスクのマスクパターン設計方法を提供する。【解決手段】マスクパターン設計方法は、(イ)マスクパターンを所定の大きさの碁盤目状のメッシュに区切り、各メッシュ(i,j)におけるパターン面積率α0(i,j)を求める工程と、(ロ)メッシュ(i,j)を中心としたマスクパターンの所定の領域内における、パターン面積率平均値β(i,j)を求める工程と、(ハ)パターン面積率平均値β(i,j)が規定の値未満であるメッシュ(i,j)にダミーパターンを配する工程から成る。
Claim (excerpt)：
基板の上に形成された第1の被処理層にパターンを形成し、次いで、全面に第2の被処理層を形成した後、該第2の被処理層をケミカル・メカニカル・ポリッシュ法にて平坦化して半導体集積回路を作製する際、該パターン形成のために用いられる露光用マスクに形成すべきマスクパターンの設計方法であって、(イ)マスクパターンを所定の大きさの碁盤目状のメッシュに区切り、各メッシュ(i,j)におけるパターン面積率α0(i,j)を求める工程と、(ロ)メッシュ(i,j)を中心としたマスクパターンの所定の領域内における、パターン面積率平均値β(i,j)を求める工程と、(ハ)パターン面積率平均値β(i,j)が規定の値未満であるメッシュ(i,j)にダミーパターンを配する工程、から成ることを特徴とする露光用マスクのマスクパターン設計方法。
IPC (3)：
G03F 1/08 ,  G06F 17/50 ,  H01L 21/027
FI (4)：
G03F 1/08 A ,  G06F 15/60 658 M ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
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