結晶化装置および結晶化方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口孝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002262249
Publication number (International publication number)：2004101779
Application date： Sep. 09, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：

【課題】結晶核の位置を制御することができ、ひいては結晶の形成領域を二次元的にほぼ制御することのできる結晶化装置。【解決手段】位相シフトマスク(1)を照明する照明系(2)を備え、位相シフトマスクの位相シフト部に対応する領域において光強度の最も小さい逆ピークパターンの光強度分布を有する光を多結晶半導体膜(3)または非晶質半導体膜(3)に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。位相シフトマスクは、ほぼ直線状の境界線の両側に形成されて第1の位相差を有する第1領域および第2領域と、境界線に沿って第1領域および第2領域のうちの少なくとも一方の領域に形成された所定形状の微小領域とを備え、微小領域が形成された第1領域または第2領域と微小領域との間には第2の位相差が付与されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

位相シフトマスクを照明する照明系を備え、前記位相シフトマスクの位相シフト部に対応する領域において光強度の最も小さい逆ピークパターンの光強度分布を有する光を多結晶半導体膜または非晶質半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置において、前記位相シフトマスクは、ほぼ直線状の境界線の両側に形成されて第1の位相差を有する第1領域および第2領域と、前記境界線に沿って前記第1領域および前記第2領域のうちの少なくとも一方の領域に形成された所定形状の微小領域とを備え、前記微小領域が形成された前記第1領域または前記第2領域と前記微小領域との間には第2の位相差が付与されていることを特徴とする結晶化装置。

IPC (6)：

G03F1/08 , G03F7/20 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (6)：

G03F1/08 A , G03F7/20 501 , H01L21/20 , H01L21/268 J , H01L29/78 627G , H01L29/78 618Z

F-Term (45)：

2H095BB03 , 2H097JA02 , 2H097LA12 , 5F052AA02 , 5F052BA12 , 5F052BB07 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB01 , 5F052DB07 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB06 , 5F110BB07 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110FF02 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110NN02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP06 , 5F110PP24 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

レーザ照射装置およびレーザ照射方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-017112 Applicant：日本電気株式会社, 理化学研究所
特開平4-218046
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-167618 Applicant：株式会社日立製作所

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