レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001075466
Publication number (International publication number)：2001337448
Application date： Mar. 16, 2001
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：

【要約】【解決手段】ベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するレジスト材料において、酸発生剤が下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩であることを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1は炭素数3〜20の1価の環状炭化水素基であり、有橋環式の炭化水素基であってもよい。R2は水酸基、ニトロ基、ハロゲン原子、又はO、N、Sもしくはハロゲン原子を含んでもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。K-は非求核性対向イオンを示す。xは1又は2、yは0〜3の整数を示す。)【効果】本発明のレジスト材料は、ArFエキシマレーザー光に感応し、感度、解像性に優れ、また厚膜化が可能なためエッチングにも有利であるために、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。

Claim (excerpt)：

ベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するレジスト材料において、酸発生剤が下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩であることを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1は炭素数3〜20の1価の環状炭化水素基であり、有橋環式の炭化水素基であってもよい。R2は水酸基、ニトロ基、ハロゲン原子、又はO、N、Sもしくはハロゲン原子を含んでもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。K-は非求核性対向イオンを示す。xは1又は2、yは0〜3の整数を示す。)

IPC (9)：

G03F 7/004 503 , C08K 5/00 , C08K 5/36 , C08L 33/00 , C08L 35/00 , C08L 65/00 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (9)：

G03F 7/004 503 A , C08K 5/00 , C08K 5/36 , C08L 33/00 , C08L 35/00 , C08L 65/00 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ネガ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-231343 Applicant：日本電気株式会社
レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-195065 Applicant：信越化学工業株式会社
化学増幅型レジスト用感光性ポリマ-及びこれを含む化学増幅型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-231386 Applicant：三星電子株式会社

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