ネガ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997231343
Publication number (International publication number)：1999072917
Application date： Aug. 27, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ArFエキシマレーザ光等の220nm以下の波長を光源に用いたリソグラフィー用の、前記波長に対する高い透明性と、エッチング耐性を兼ね備えたネガ型フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】少なくとも、一般式(1)で表される繰り返し単位を含有する重量平均分子量1000〜500000の重合体、架橋剤として一般式(2)で表される化合物、及び露光により酸を発生する光酸発生剤を含有するネガ型フォトレジスト組成物。【化1】(R1は水素原子、メチル基、R2は橋かけ環式炭化水素基を有する炭素数7〜18のアルキレン基。Xは式(3)の基、水素原子、炭素数1〜6の炭化水素基、炭素数1〜3のアルコキシ基、又は水酸基を表し、a1〜a3は1又は2、b1〜b3は0又は1を表すが、各a+b=2である。R8は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基を表す。)【化2】

Claim (excerpt)：

少なくとも、一般式(1)【化1】(一般式(1)において、R1は、水素原子あるいはメチル基、R2は橋かけ環式炭化水素基を有する炭素数7〜18のアルキレン基を表す。)で表される繰り返し単位を含有する重量平均分子量1000〜500000の重合体、架橋剤として一般式(2)【化2】{一般式(2)において、Xは一般式(3)【化3】で表される基もしくは水素原子、炭素数1〜6の炭化水素基、炭素数1〜3のアルコキシ基、又は水酸基を表し、a1,a2,a3は1又は2を、b1,b2,b3は0又は1を表すが、a1+b1=2,a2+b2=2,a3+b3=2である。R8は水素原子もしくは炭素数1〜6のアルキル基を表す。}で表される化合物、及び露光により酸を発生する光酸発生剤を含有することを特徴とするネガ型フォトレジスト組成物。

IPC (4)：

G03F 7/038 601 , G03F 7/004 503 , G03F 7/033 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/038 601 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/033 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ビニルモノマー、重合体、フォトレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-203150 Applicant：日本電気株式会社
ビニル基を含有する単量体及びその重合体及びそれを用いた感光性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-280695 Applicant：日本電気株式会社
レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-298995 Applicant：和光純薬工業株式会社

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