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J-GLOBAL ID：200903043544787639

高配向カーボンナノチューブの生成方法、及び高配向カーボンナノチューブの生成に適した装置。

Inventor：
大前 伸夫

About 大前 伸夫

, 
田川 雅人

About 田川 雅人


Applicant, Patent owner：
財団法人新産業創造研究機構

About 財団法人新産業創造研究機構


Agent (2)： 梶 良之 ,  須原 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004022748
Publication number (International publication number)：2005213104
Application date： Jan. 30, 2004
Publication date： Aug. 11, 2005
Summary：
【課題】 プラズマCVD法により高配向CNT薄膜を生成させる方法を提供する。そして、プラズマCVD法により高配向CNT薄膜の生成に適した生成装置の提供も目的とする。【解決手段】 Fe,Co,Ni,Ga,In(ITO),Al,Snの少なくともいずれかの金属を含む触媒を基板10の面に付着させる。触媒が面に付着した基板10を、チャンバー2内部に配置される基板保持部5で保持する。チャンバー2内部に炭素含有ガスを供給するとともに、基板10に直射しないようにマイクロ波発生部6からチャンバー2の内部にプラズマ電子を発生させる。また、これに適した装置として、基板保持部5とマイクロ波発生部6との間に遮蔽部材7を設ける。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
プラズマCVD法によりカーボンナノチューブを基板に生成させるカーボンナノチューブの生成方法であって、 Fe,Co,Ni,Ga,In(ITO),Al,Snの少なくともいずれかの金属を含む触媒を前記基板の面に付着させる第1の工程と、 前記第1の工程で得られた基板が配置されたチャンバーの内部に、炭素含有ガスを供給するとともにプラズマ電子を発生させる第2の工程と、を有し、 前記第2の工程が、前記チャンバーの内部に発生させるプラズマ電子が前記基板に直射しないように遮蔽する工程を有することを特徴とするカーボンナノチューブの生成方法。
IPC (3)：
C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  C23C16/27
FI (3)：
C01B31/02 101F ,  B82B3/00 ,  C23C16/27
F-Term (23)：
4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G146DA47 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BB01 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01 ,  4K030HA04 ,  4K030KA49
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (3)

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