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J-GLOBAL ID：200903043592388789

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

Inventor： 岡本 光央 ,  原田 信介 ,  福田 憲司
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003073708
Publication number (International publication number)：2004281875
Application date： Mar. 18, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】段差の上へのエピタキシャル成長について、最もデバイス特性が向上する溝構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】(0001)又は(000-1)面より傾斜した面を最表面とする六方晶系炭化珪素層と、前記炭化珪素層を選択的にエッチングして形成された長方形の溝を長手方向がオフ方向に対して平行となるように配置した溝領域と、前記溝領域を含む前記炭化珪素層の上に堆積された炭化珪素エピタキシャル層と、を具備することを特徴とする炭化珪素半導体装置。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

(0001)又は(000-1)面から傾いた面を最表面とする六方晶系炭化珪素層と、 前記炭化珪素層を選択的にエッチングして形成された長方形の溝を長手方向がオフ方向に対して平行となるように配置した溝領域と、 前記溝領域を含む前記炭化珪素層の上に堆積された炭化珪素エピタキシャル層と、を具備することを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (2)：

H01L29/78 ,  H01L21/336

FI (5)：

H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-068896   Applicant：株式会社デンソー
• 炭化珪素半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-358229   Applicant：株式会社デンソー
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-216930   Applicant：株式会社日立製作所