半導体装置およびその作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001245939
Publication number (International publication number)：2002141359
Application date： Aug. 14, 2001
Publication date： May. 17, 2002
Summary：

【要約】【課題】さらなる低温プロセス(350°C以下、好ましくは300°C以下)を実現し、安価な半導体装置を提供する。【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層103を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層103の一部にp型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域107(非晶質構造を有する領域)を形成した後、100〜300°Cの加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域108を形成し、非晶質な領域のままでTFTのソース領域またはドレイン領域とする。

Claim (excerpt)：

同一の絶縁表面上に画素部及び駆動回路を含む電気光学装置において、前記画素部及び駆動回路はpチャネル型TFTで形成され、前記pチャネル型TFTのチャネル形成領域は、主に結晶構造であり、且つ、前記TFTのソース領域またはドレイン領域は、主に非晶質構造であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 21/336 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , H01L 21/265 , H01L 21/265 602 , H01L 29/786

FI (9)：

G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , H01L 21/265 602 A , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 626 C , H01L 21/265 F , H01L 29/78 612 B

F-Term (95)：

2H092GA29 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA10 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA27 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092PA01 , 2H092PA13 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA07 , 5C094EB05 , 5F110AA17 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD11 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG48 , 5F110HJ01 , 5F110HJ02 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HJ23 , 5F110HM07 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN14 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP31 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ12 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

薄膜半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-269310 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-261515 Applicant：シャープ株式会社
薄膜半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-118635 Applicant：三洋電機株式会社

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