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J-GLOBAL ID:200903043644240076

光-磁束変換型入力インターフェース回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 清水 守
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003162552
Publication number (International publication number):2004363485
Application date: Jun. 06, 2003
Publication date: Dec. 24, 2004
Summary:
【課題】数十ギガヘルツからテラヘルツ帯に及ぶ光信号を検出し、それを磁束に変換することにより、波形を鈍らせることなく超伝導論理回路へと信号伝達を可能とする光-磁束変換型入力インターフェース回路を提供する。【解決手段】光信号106を受光し、その光強度に応じた電流を流すことができる光伝導スイッチング手段102と、この光伝導スイッチング手段102に接続されるとともに、流れた電流により磁束を発生させる制御電流線101と、この制御電流線101とは電気的に独立し、発生した磁束から電圧パルスを発生する磁束-電圧変換部103と、この磁束-電圧変換部103と共通接地に接続されたジョセフソン伝送線104とを具備し、数十ギガヘルツ以上で、かつ1〜2テラヘルツ以下の周波数の電圧パルスを入力することができる超伝導論理回路105とを具備する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
(a)バイアス電圧が印加されるとともに、光信号を受光すると、その光強度に応じたフォトキャリアが生成され、それに応じた電流を流すことができる光伝導スイッチング手段と、 (b)該光伝導スイッチング手段に接続されるとともに、流れた電流により磁束を発生させる制御電流線と、 (c)該制御電流線とは電気的に独立し、前記発生した磁束から電圧パルスを発生する磁束-電圧変換部と、 (d)該磁束-電圧変換部と共通接地に接続されたジョセフソン伝送線とを具備し、 (e)ギガヘルツからテラヘルツに及ぶ周波数帯の電圧パルスを入力することができる超伝導論理回路とを具備することを特徴とする光-磁束変換型入力インターフェース回路。
IPC (1):
H01L39/22
FI (2):
H01L39/22 D ,  H01L39/22 K
F-Term (11):
4M113AA06 ,  4M113AA16 ,  4M113AA24 ,  4M113AA25 ,  4M113AA37 ,  4M113AC23 ,  4M113AD23 ,  4M113AD37 ,  4M113AD42 ,  4M113BC08 ,  4M113CA34
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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