フォトレジスト組成物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩野平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995075356
Publication number (International publication number)：1996272091
Application date： Mar. 31, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】膜厚依存性に優れ、かつ現像残渣が少なく高解像力でありながら、高感度で現像ラチチュードが広いという特徴を有するフォトレジスト組成物が得られる。従って、超微細な回路を有する半導体デバイスの量産製造用に最も好適に用いられるものである。【構成】ノボラック樹脂と感光性化合物とを含有するフォトレジスト組成物において、該ノボラック樹脂が、特定のフェノール系モノマーからなる混合物と、該混合物中のフェノール系モノマーの全てと反応する化学量論量以上の少なくとも1種のアルデヒド類との縮合反応によって得られる樹脂であることを特徴とするフォトレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

ノボラック樹脂と感光性化合物とを含有するフォトレジスト組成物において、該ノボラック樹脂が、下記(a)から(d)からなる混合物と、該混合物中のフェノール系モノマーの全てと反応する化学量論量以上の少なくとも1種のアルデヒド類との縮合反応によって得られる樹脂であることを特徴とするフォトレジスト組成物。(a)該全混合物中2〜25重量%が少なくとも1種の一官能性フェノール系モノマーである。(b)該全混合物中0.1〜25重量%が少なくとも1種のオルト-モノ(低級アルキル)フェノールである。(c)該全混合物中0.2〜9重量%が少なくとも1種の3,3’位以外に置換基を有していてもよい2,2’-ジヒドロキシジフェニルメタンである。(d)該全混合物中50〜95重量%が3,4-ジ(低級アルキル)フェノール、2,3,5-トリ(低級アルキル)フェノール、2,3-ジ(低級アルキル)フェノール、2,5-ジ(低級アルキル)フェノール又はそれらの混合物である。

IPC (3)：

G03F 7/023 , C08L 61/06 LNF , G03F 7/022

FI (3)：

G03F 7/023 , C08L 61/06 LNF , G03F 7/022

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特表平5-500274
特開平2-306245
塩基性で現像しうるネガチブフォトレジストおよびその使用
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-207847 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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