磁気センサ及び同磁気センサの製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大庭咲夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000166180
Publication number (International publication number)：2001345498
Application date： Jun. 02, 2000
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】磁気トンネル効果素子を用いた磁気センサの温度特性を改善し、外部磁界の検出精度を向上すること。【解決手段】磁気センサは、磁気トンネル効果素子31,32を有し、これらの磁気トンネル効果素子の各固定磁化層の磁化の向きは、総て同一方向(図1に矢印にて示す方向)とされている。この磁気センサは、磁気トンネル効果素子31と磁気遮蔽されている磁気トンネル効果素子32とを直列接続するとともに、これに直流定電圧源33を直列に接続し、磁気トンネル効果素子32の両端電圧を出力電圧Voutとして取り出すハーフブリッヂ回路により構成されている。

Claim (excerpt)：

直流電圧源と、磁化の向きが所定の向きに固定された固定磁化層と磁化の向きが外部磁界に応じて変化する自由磁化層と前記固定磁化層及び前記自由磁化層の間に挟まれた絶縁層とを含んでなる磁気トンネル効果素子と、を備えた磁気センサにおいて、前記磁気トンネル効果素子であって磁気遮蔽されたものと、前記磁気トンネル効果素子であって磁気遮蔽されていないものと、前記直流電圧源とを直列に接続し、前記磁気トンネル効果素子の何れかの素子の両端電圧を出力するように構成したことを特徴とする磁気センサ。

IPC (4)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01L 43/12

FI (5)：

H01L 43/08 Z , H01L 43/08 A , G11B 5/39 , H01L 43/12 , G01R 33/06 R

F-Term (14)：

2G017AA03 , 2G017AB05 , 2G017AC01 , 2G017AC04 , 2G017AD55 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 2G017BA09 , 5D034BA04 , 5D034BB02 , 5D034BB14 , 5D034CA03 , 5D034CA08 , 5D034DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

磁気抵抗素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-205393 Applicant：三菱マテリアル株式会社
巨大磁気抵抗効果素子を備えたポテンショメータ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-204067 Applicant：アルプス電気株式会社
巨大磁気抵抗効果素子を備えたエンコーダ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-204068 Applicant：アルプス電気株式会社

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