磁気センサ装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村興作 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001505210
Publication number (International publication number)：2003502674
Application date： Jun. 15, 2000
Publication date： Jan. 21, 2003
Summary：

【要約】磁界センサ及び磁気メモリは少なくとも2つの磁気抵抗ブリッジ素子(A、B、C、D)を有し、各磁気抵抗ブリッジ素子はじ自由な強磁性層(F)及びピン止めされた強磁性層(P)を有する。ピン止めされた強磁性層の磁化方向はこれら2つの磁気抵抗ブリッジ素子に対し異ならせる。本発明の方法では、第1の堆積工程で、前記少なくとも2つの磁気抵抗ブリッジ素子のうちの1つの磁気抵抗ブリッジ素子の第1の強磁性層を堆積し、この堆積中、磁界を与えて第1の強磁性層の磁化方向(M P )を第1の方向にピン止めする。その後、第2の堆積工程で、前記少なくとも2つの磁気抵抗ブリッジ素子のうちの他の1つの磁気抵抗ブリッジ素子の第2の強磁性層を堆積し、この堆積中、磁界を与えてこの第2の強磁性層の磁化方向(MP ′)を前記第1の強磁性層の磁化方向とは異なる、好ましくは反対の第2の方向にピン止めする。

Claim (excerpt)：

少なくとも2つの磁気抵抗ブリッジ素子を有する磁界センサ又は磁気メモリの製造方法であって、各磁気抵抗ブリッジ素子は、自由な強磁性層及びピン止めされた強磁性層を有し、前記少なくとも2つの磁気抵抗ブリッジ素子は、磁化方向が互いに異なるピン止めされた強磁性層を有するようにする製造方法において、第1の堆積工程で、前記少なくとも2つの磁気抵抗ブリッジ素子のうちの1つの磁気抵抗ブリッジ素子の第1の強磁性層を堆積し、この堆積中、磁界を与えて第1の強磁性層の磁化方向を第1の方向にピン止めし、その後、第2の堆積工程で、前記少なくとも2つの磁気抵抗ブリッジ素子のうちの他の1つの磁気抵抗ブリッジ素子の第2の強磁性層を堆積し、この堆積中、磁界を与えてこの第2の強磁性層の磁化方向を前記第1の強磁性層の磁化方向とは異なる、好ましくは反対の第2の方向にピン止めすることを特徴とする製造方法。

IPC (4)：

G01R 33/09 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , H01L 43/12

FI (5)：

H01L 43/08 A , H01L 43/08 Z , H01L 43/12 , G01R 33/06 R , H01L 27/10 447

F-Term (6)：

2G017AA01 , 2G017AD55 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 2G017BA09 , 5F083FZ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

巨大磁気抵抗効果素子センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-053717 Applicant：アルプス電気株式会社
磁気抵抗効果素子及び磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-007703 Applicant：富士通株式会社
積層磁性膜およびそれを用いた磁気ヘツドならびに磁気記録・再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-091017 Applicant：日立マクセル株式会社, 株式会社日立製作所

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