半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996263408
Publication number (International publication number)：1997219501
Application date： Oct. 04, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】容量素子の容量絶縁膜を構成する酸化タンタル膜上に上部電極材料であるTiN膜をCVD法で堆積する際の容量絶縁膜の耐圧劣化を防止する。【解決手段】容量素子の容量絶縁膜を構成する酸化タンタル膜の上部に、チタン含有ソースガスと窒素含有還元性ガスとを用いたCVD法でTiN膜を堆積する際、あらかじめ酸化タンタル膜の表面に保護膜を形成しておくことにより、酸化タンタル膜が窒素含有還元性ガスと接触しないようにする。

Claim (excerpt)：

下部電極と、前記下部電極上に形成された高誘電体膜を含む単一または複数の膜からなる容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜上に形成されたチタンナイトライド膜を含む単一または複数の膜からなる上部電極とで構成された容量素子を有する半導体集積回路装置であって、前記容量素子の上部電極は、還元性ガスを含まない条件下で低温CVD法により形成された保護膜を介在して前記高誘電体膜上に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/316 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 621 C , H01L 21/316 X , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体の成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-082985 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩
メタルプラグの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-201332 Applicant：ソニー株式会社
バリアメタルの形成方法及び配線接続構造の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-094220 Applicant：ソニー株式会社

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