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J-GLOBAL ID：200903043803057814

半導体装置の製造方法および製造装置

Inventor：
鈴木 康嗣

About 鈴木 康嗣


Applicant, Patent owner：
川崎製鉄株式会社

About 川崎製鉄株式会社


Agent (1)： 渡辺 望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999336268
Publication number (International publication number)：2001156045
Application date： Nov. 26, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：
【要約】【課題】エッチング時間が短く、かつ欠陥密度が少ない半導体装置を製造する方法及び製造装置の提供。【解決手段】エッチング槽内に保持した半導体装置基板表面の多層膜を、それぞれ異なる組成のプロセスガスを使用する複数の工程を順次行ってエッチングするに当たり、複数の工程にわたって、プロセスガスを励起するための放電を連続して行う半導体装置の製造方法、及び半導体装置基板を保持する処理槽と、処理槽に複数の異なる組成のプロセスガスを供給するプロセスガス供給系とを有し、プロセスガス供給系が、ガス貯蔵槽と、複数のプロセスガスの少なくとも一つを構成するガス系のうち、少なくとも二つをガス貯蔵槽内で適切な比率で混合して混合ガスを形成する混合ガス供給系と、混合ガスを処理槽に設定流量で供給するマスフローコントローラとを有する半導体の製造装置により上記課題を解決する。
Claim (excerpt)：
エッチング槽内に保持した被処理半導体装置基板表面の多層膜を、それぞれ異なる組成のプロセスガスを使用する複数の工程を順次行ってエッチングするに当たって、前記複数の工程にわたって、前記プロセスガスを励起するための放電を連続して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213
FI (2)：
H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D
F-Term (32)：
5F004AA05 ,  5F004BA14 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BC03 ,  5F004BC08 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB17 ,  5F004EA22 ,  5F004EA28 ,  5F033HH04 ,  5F033HH28 ,  5F033MM07 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033XX33
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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