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J-GLOBAL ID：200903044326512888

半導体装置の製造方法

Inventor： 笠置 泰男
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996195439
Publication number (International publication number)：1998022283
Application date： Jul. 05, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 BPSG成膜後のウエハ洗浄工程において、ボイド部分へ侵入した洗浄液の残留を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 配線層2が形成された半導体基板1上にBPSG膜3を成膜する第1の工程と、前記第1の工程後、前記半導体基板1を硫酸あるいは塩酸を含む洗浄液を用いて洗浄する第2の工程と、HFまたはアンモニア加水液を用いてエッチングを行って前記BPSG膜3を成膜する時に生じたピンホール4の径を拡げる第3の工程とを備える。

Claim (excerpt)：

配線が形成された半導体基板上にBPSG膜を成膜する第1の工程と、前記第1の工程後、前記半導体基板を洗浄する第2の工程と、前記第2の工程後、前記BPSG膜を成膜する時に生じたピンホールの径を拡げる第3の工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306

FI (4)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/306 F