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J-GLOBAL ID：200903044401054599

CMP用研磨装置

Inventor：
宮地 章

About 宮地 章

, 
新井 孝史

About 新井 孝史


Applicant, Patent owner：
株式会社ニコン

About 株式会社ニコン


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996187380
Publication number (International publication number)：1998034525
Application date： Jul. 17, 1996
Publication date： Feb. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】 1.研磨による被研磨物(例えば半導体)表面の縁だれを防止または抑制できる、2.荷重がかかってもポリシャが圧縮変形を起こしにくい、3.ポリシャと研磨定盤の接合にかかる平坦度不良が発生しにくい、4、ポリシャのドレッシング(目立て)が不要である、5.λ以下の高い被研磨物(例えば半導体)の面精度を得ることができる、6.研磨ポリシャが低コストである、7.研磨ポリシャが高寿命である、という特徴の一部または全てを有するCMP用研磨装置を提供すること。【解決手段】 少なくとも、定盤100と、該定盤100上に設けられ被研磨物300の表面を研磨する研磨ポリシャ101、102とを備えたCMP用研磨装置において、前記研磨ポリシャは、弾性体層101と該弾性体層よりも硬度が大きい硬質層102との2層構造を有し、かつ、前記定盤100上に前記弾性体層101が形成され、さらに該弾性体層101上に前記硬質層102が形成されてなることを特徴とするCMP用研磨装置。
Claim (excerpt)：
少なくとも、定盤と、該定盤上に設けられ被研磨物の表面を研磨する研磨ポリシャとを備えたCMP用研磨装置において、前記研磨ポリシャは、弾性体層と該弾性体層よりも硬度が大きい硬質層との2層構造を有し、かつ、前記定盤上に前記弾性体層が形成され、さらに該弾性体層上に前記硬質層が形成されてなることを特徴とするCMP用研磨装置。
IPC (4)：
B24B 37/00 ,  B24B 37/04 ,  B24B 49/12 ,  H01L 21/304 321
FI (5)：
B24B 37/00 C ,  B24B 37/00 F ,  B24B 37/04 A ,  B24B 49/12 ,  H01L 21/304 321 E
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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