Pat

J-GLOBAL ID：200903044487274430

半導体装置

Inventor： 横山 春喜 ,  杉山 弘樹 ,  小田 康裕 ,  小林 隆
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (2)： 和泉 良彦 ,  小林 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003170486
Publication number (International publication number)：2005005646
Application date： Jun. 16, 2003
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【課題】バリア層の薄層化によってヘテロ接合型電界効果トランジスタの特性劣化が生じないショットキー接合形成層を形成した半導体装置を提供する。【解決手段】化合物半導体InP基板1上にInAlAsバッファー層2、InGaAsチャネル層3、InAlAsスペーサ層4、SiをプレーナードープしたInPキャリア供給層5、InAlAsSbショットキー接合形成層6となる化合物半導体層を順次積層した構造を持ち、また、前記ショットキー接合形成層6上の所定部分にゲート電極9、ソース電極10およびドレイン電極11を形成したヘテロ接合型電界効果トランジスタであって、ショットキー接合形成層6がInP基板1側より、InAlAsSbとInPを積層した構造の半導体装置とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上にバッファー層、チャネル層、スペーサ層、キャリア供給層、ショットキー接合形成層となる化合物半導体層を順次積層した構造を有し、前記ショットキー接合形成層上の所定部分にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成するヘテロ接合型電界効果トランジスタであって、前記ショットキー接合形成層が基板側より、InAlAsSbとInPを積層した構造であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (14)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102HC04 ,  5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• ヘテロ接合型電界効果トランジスタとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-010256   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開平4-214637
  
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-133182   Applicant：日本電信電話株式会社
• リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-147902   Applicant：富士通株式会社
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-333101   Applicant：株式会社東芝