ハイブリッドコンダクターとマルチラジアスドーム天井を有する高周波プラズマリアクター

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997189902
Publication number (International publication number)：1998083987
Application date： Jul. 15, 1997
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】イオン密度分布の均一性を最適化するため、プラズマ特性の柔軟性のある多様な調節を可能ならしめるプラズマリアクターを提供すること。【解決手段】本発明の誘導結合型RFプラズマリアクターは、側壁10と半導体天井12を有するリアクターチャンバーと、ウェーハ16を支持するウェーハペデスタル14と、RF電源28と、処理ガス源22と、RF電源に接続されたコイルインダクター18とを含み、前記コイルインダクターは、(a)前記側壁の一部に臨むとともに、底部巻線と、前記天井の頂上高さに少なくともほぼ対応する高さにある頂部巻線とを含むサイドセクション44と、(b)前記天井の実質的な部分の上方に横たわるように、前記サイドセクションのトップ巻線から半径方向内側へ延びるトップセクション46とを含む。天井は、半導体ウィンドウ電極として機能するように、もう一つのRF電源を天井に適用してもよい。

Claim (excerpt)：

基板を処理するためのプラズマリアクターであって、前記リアクター内で基板を支持するためのペデスタルと、前記ペデスタルに臨むとともに間隔を空けて重なるように支持された半導体材料製のほぼ円弧状のリアクター壁部分と、前記リアクターの内部にパワーを伝達することができる導体と、を備え、前記壁部分は前記ペデスタルの中央部近傍の直径部の大部分にわたって平坦形状に近づき、前記導体は、前記壁部分近傍の三次元面に倣うとともに、前記壁部分の中央部から半径方向に特定距離だけ離れた少なくとも一つの領域を有しており、前記領域は前記導体の他の部分より大きな程度で前記壁部分より離れている、プラズマリアクター。

IPC (8)：

H01L 21/3065 , C23C 14/54 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , C23C 14/24 , H01L 21/203 , H05H 1/46

FI (8)：

H01L 21/302 B , C23C 14/54 B , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , C23C 14/24 T , H01L 21/203 S , H05H 1/46 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

電磁RF結合を用いたプラズマ反応装置及びその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-340841 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-259860 Applicant：日本電気株式会社
半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-018996 Applicant：日本電気株式会社

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