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J-GLOBAL ID:200903044597750385
液晶表示装置及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997170401
Publication number (International publication number):1999015022
Application date: Jun. 26, 1997
Publication date: Jan. 22, 1999
Summary:
【要約】【課題】ドレインバスラインと画素電極間が短絡し点欠陥が発生する。又蓄積容量の付加に伴い開口率が低下する。【解決手段】蓄積容量電極108上の蓄積容量絶縁膜としてゲート絶縁膜114を構成する第1絶縁膜114Aか、パッシベーション膜115のいずれか一方を用いる。
Claim (excerpt):
ガラス基板上に順次形成されたゲート電極とゲート絶縁膜とチャネル層とコンタクト層とソース・ドレイン電極とパッシベーション膜からなる薄膜トランジスタと、前記パッシベーション膜上に設けられ、且つパッシベーション膜に設けられたスルーホールを介し前記ソース電極と電気的に接続された画素電極とがマトリクス状に配置され、各画素電極に対向して前記ゲート電極と同層で前記ガラス基板上に形成された蓄積容量電極とを有する液晶表示装置において、前記蓄積容量電極と前記画素電極の間に介在する容量絶縁膜の少なくとも一部が、前記ゲート絶縁膜と一体的に形成された絶縁膜のみで構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (5):
G02F 1/136 500
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (5):
G02F 1/136 500
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/1343
, H01L 29/78 612 Z
, H01L 29/78 617 V
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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薄膜トランジスタマトリクスの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-125577
Applicant:富士通株式会社
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液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-122238
Applicant:日本電気株式会社
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液晶表示装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-019856
Applicant:株式会社日立製作所
-
薄膜トランジスタマトリクス基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-205976
Applicant:富士通株式会社
-
特開平2-081029
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特開平3-260632
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液晶表示装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-135943
Applicant:株式会社日立製作所
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アクティブマトリクス型液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-051683
Applicant:東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
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アクティブマトリクス型液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-019825
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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