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J-GLOBAL ID:200903044847413150
炭化珪素半導体装置とその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002023306
Publication number (International publication number):2003224277
Application date: Jan. 31, 2002
Publication date: Aug. 08, 2003
Summary:
【要約】【課題】電界を緩和して耐圧を向上させることができる炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】N+型ドレイン用SiC基板1の上に、N-型SiCドリフト層2と、N+型SiCソース層3とが順に形成され、ソース層3を貫通してドリフト層2に達するトレンチ4が形成されている。トレンチ4の内部にポリシリコンゲート電極5が配置されている。トレンチ4の内壁面には酸化膜6が形成されるとともに、酸化膜6の外周側にバナジウムイオン拡散領域7が形成されている。トレンチ底面におけるバナジウムイオン拡散領域7bは、トレンチ側面でのバナジウムイオン拡散領域7aよりも厚くなっている。
Claim (excerpt):
SiCよりなる第1導電型のドレイン用基板(1)の上に、SiCよりなる低濃度な第1導電型のドリフト層(2)と、SiCよりなる高濃度な第1導電型のソース層(3)とが順に形成されるとともに、前記ソース層(3)を貫通してドリフト層(2)に達するトレンチ(4)が形成され、さらに、このトレンチ(4)の内部にゲート電極(5)を配した炭化珪素半導体装置であって、前記トレンチ(4)の内壁面に酸化膜(6)を形成するとともに、当該酸化膜(6)の外周側に半絶縁領域(7)を形成したことを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3):
H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 29/78 653
FI (3):
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 653 C
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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高抵抗炭化ケイ素層の形成方法および炭化ケイ素半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-115878
Applicant:株式会社イオン工学研究所, 松波弘之, 木本恒暢
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接合型電界効果半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-330084
Applicant:株式会社日立製作所
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特開昭62-174977
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電界効果トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-135458
Applicant:日産自動車株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-323634
Applicant:日産自動車株式会社
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Cited by examiner (3)
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