半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998017232
Publication number (International publication number)：1999214656
Application date： Jan. 29, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】接合リーク電流を低減可能な半導体装置を提供する。【解決手段】メモリセル部内におけるゲート絶縁膜8の厚みを周辺回路部内におけるゲート絶縁膜9の厚みよりも大きくする。また、メモリセル部におけるMOSトランジスタのソース/ドレインを二重拡散層構造とし、周辺回路部におけるMOSトランジスタのソース/ドレインを三重拡散層構造にする。

Claim (excerpt)：

第1の厚みのゲート絶縁膜を有し、ソース/ドレインの少なくとも一方が第1の低濃度領域と第1の高濃度領域とで構成される第1のトランジスタと、前記第1の厚みより小さい第2の厚みのゲート絶縁膜を有し、ソース/ドレインの少なくとも一方が、第2の低濃度領域と、前記第1の高濃度領域よりも高濃度の第2の高濃度領域とを含む第2のトランジスタと、を備えた半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (4)：

H01L 27/10 681 F , H01L 27/08 102 B , H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 671 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

ダイナミックランダムアクセスメモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-008597 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-184239 Applicant：ソニー株式会社
特開昭62-224069

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