III-V族化合物面発光レーザ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小野由己男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998210126
Publication number (International publication number)：1999097796
Application date： Jul. 24, 1998
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 GaN系III-V族窒化物面発光レーザの制作を容易にする。【解決手段】半導体基板上に、1対の分散ブラッグ反射器に挟まれて位置するキャビティを有するIII-V族化合物面発光レーザであって、分散ブラッグ反射器は、空気層及び空気層よりも高い屈折率を有する物質層が交互に積層して形成されている。空気よりも高い屈折率を有する物質層が、GaN、AlN及びInNの化合物のうちから選択されるいずれか一つの化合物からなると好ましい。キャビティは、InxGa1-xN( 0≦x≦1)のMQWからなる活性層と、それぞれ活性層を挟んで位置する、キャリア制限のためのn-AlyGa1-yN(0≦y≦1、0≦z≦1)からなる第1キャリア制限層及びp-AlzGa1-zNからなる第2キャリア制限層とを備えると好適である。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に下部分散ブラッグ反射器、キャビティ及び上部分散ブラッグ反射器を備えたIII-V族化合物面発光レーザにおいて、前記下部及び上部分散ブラッグ反射器は低屈折率の空気層及び前記低屈折率の空気層より高屈折率を有する物質層の対が積層して形成されたことを特徴とするIII-V族化合物面発光レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

面出射形半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-152833 Applicant：日本電気株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-082869 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-068587

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