偏波変調可能な半導体レーザとその使用法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994045196
Publication number (International publication number)：1995231133
Application date： Feb. 18, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【目的】外部からの制御によって出力光の偏光状態を変化させることができる偏波変調可能な半導体レーザ及びその使用法に関するものである。【構成】本発明の偏波変調可能な半導体レーザは、1つの共振器内に、異なる利得スペクトルを持つ2つ以上の活性領域31、32で形成される活性層があり、活性層の少なくとも1つの活性領域32は、TM偏波の光に対する利得がTE偏波の光に対する利得よりも大きく、また活性層の少なくとも他の1つの活性領域31は、TE偏波の光に対する利得がTM偏波の光に対する利得よりも大きい。

Claim (excerpt)：

1つの共振器内に、異なる利得スペクトルを持つ2つ以上の活性領域で形成される活性層があり、該活性層の少なくとも1つの活性領域は、TM偏波の光に対する利得がTE偏波の光に対する利得よりも大きく、また該活性層の少なくとも他の1つの活性領域は、TE偏波の光に対する利得がTM偏波の光に対する利得よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/103 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体光素子及びその駆動方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-336960 Applicant：富士通株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-350703 Applicant：アンリツ株式会社
多ビーム半導体量子井戸レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-162990 Applicant：ゼロックスコーポレイション

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