磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007047697
Publication number (International publication number)：2008211058
Application date： Feb. 27, 2007
Publication date： Sep. 11, 2008
Summary：

【課題】磁気抵抗効果素子の加工ばらつきを抑制する。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、第1の方向に延在された第1及び第2のビット線BL1、BL2と、第1のビット線に接続され、磁化方向が固定された第1の固定層と磁化方向が反転可能な第1の記録層と第1の固定層及び第1の記録層の間に設けられた第1の非磁性層とを有し、第1の固定層及び第1の記録層の間に流す第1の電流の向きに応じて第1の固定層及び第1の記録層の磁化方向が平行状態又は反平行状態となる第1の磁気抵抗効果素子MTJ1と、第2のビット線に接続され、磁化方向が固定された第2の固定層と磁化方向が反転可能な第2の記録層と第2の固定層及び第2の記録層の間に設けられた第2の非磁性層とを有し、第1及び第2の記録層は同じ第1の層13で形成され、第2の固定層及び第2の記録層の間に流す第2の電流の向きに応じて第2の固定層及び第2の記録層の磁化方向が平行状態又は反平行状態となる第2の磁気抵抗効果素子MTJ2とを具備する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の方向に延在された第1のビット線と、前記第1のビット線と前記第1の方向と異なる第2の方向において隣り合い、前記第1の方向に延在された第2のビット線と、前記第1のビット線に接続され、磁化方向が固定された第1の固定層と磁化方向が反転可能な第1の記録層と前記第1の固定層及び前記第1の記録層の間に設けられた第1の非磁性層とを有し、前記第1の固定層及び前記第1の記録層の間に流す第1の電流の向きに応じて前記第1の固定層及び前記第1の記録層の前記磁化方向が平行状態又は反平行状態となる第1の磁気抵抗効果素子と、前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第2の方向において隣接し、前記第2のビット線に接続され、磁化方向が固定された第2の固定層と磁化方向が反転可能な第2の記録層と前記第2の固定層及び前記第2の記録層の間に設けられた第2の非磁性層とを有し、前記第1及び第2の記録層は前記第2の方向に延在する同じ第1の層で形成され、前記第2の固定層及び前記第2の記録層の間に流す第2の電流の向きに応じて前記第2の固定層及び前記第2の記録層の前記磁化方向が平行状態又は反平行状態となる第2の磁気抵抗効果素子とを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (4)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11C 11/15

FI (4)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , G11C11/15 110 , G11C11/15 140

F-Term (49)：

4M119AA08 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD02 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD10 , 4M119DD22 , 4M119DD23 , 4M119DD24 , 4M119DD25 , 4M119DD26 , 4M119DD27 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119DD55 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF13 , 4M119FF16 , 4M119GG02 , 5F092AA15 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092AD26 , 5F092BB17 , 5F092BB18 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB25 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB45 , 5F092BB53 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC42 , 5F092BC43 , 5F092BC46

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

磁気メモリセルのアクセス方法及び磁気メモリセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-065913 Applicant：シャープ株式会社
磁気記憶装置および磁性体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-029426 Applicant：三菱電機株式会社
磁気ランダムアクセスメモリシステム、及び磁気ランダムアクセスメモリの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-206172 Applicant：株式会社東芝

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