Pat
J-GLOBAL ID:200903045175953344

磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (8): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007047697
Publication number (International publication number):2008211058
Application date: Feb. 27, 2007
Publication date: Sep. 11, 2008
Summary:
【課題】磁気抵抗効果素子の加工ばらつきを抑制する。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、第1の方向に延在された第1及び第2のビット線BL1、BL2と、第1のビット線に接続され、磁化方向が固定された第1の固定層と磁化方向が反転可能な第1の記録層と第1の固定層及び第1の記録層の間に設けられた第1の非磁性層とを有し、第1の固定層及び第1の記録層の間に流す第1の電流の向きに応じて第1の固定層及び第1の記録層の磁化方向が平行状態又は反平行状態となる第1の磁気抵抗効果素子MTJ1と、第2のビット線に接続され、磁化方向が固定された第2の固定層と磁化方向が反転可能な第2の記録層と第2の固定層及び第2の記録層の間に設けられた第2の非磁性層とを有し、第1及び第2の記録層は同じ第1の層13で形成され、第2の固定層及び第2の記録層の間に流す第2の電流の向きに応じて第2の固定層及び第2の記録層の磁化方向が平行状態又は反平行状態となる第2の磁気抵抗効果素子MTJ2とを具備する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
第1の方向に延在された第1のビット線と、 前記第1のビット線と前記第1の方向と異なる第2の方向において隣り合い、前記第1の方向に延在された第2のビット線と、 前記第1のビット線に接続され、磁化方向が固定された第1の固定層と磁化方向が反転可能な第1の記録層と前記第1の固定層及び前記第1の記録層の間に設けられた第1の非磁性層とを有し、前記第1の固定層及び前記第1の記録層の間に流す第1の電流の向きに応じて前記第1の固定層及び前記第1の記録層の前記磁化方向が平行状態又は反平行状態となる第1の磁気抵抗効果素子と、 前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第2の方向において隣接し、前記第2のビット線に接続され、磁化方向が固定された第2の固定層と磁化方向が反転可能な第2の記録層と前記第2の固定層及び前記第2の記録層の間に設けられた第2の非磁性層とを有し、前記第1及び第2の記録層は前記第2の方向に延在する同じ第1の層で形成され、前記第2の固定層及び前記第2の記録層の間に流す第2の電流の向きに応じて前記第2の固定層及び前記第2の記録層の前記磁化方向が平行状態又は反平行状態となる第2の磁気抵抗効果素子と を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4):
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15
FI (4):
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  G11C11/15 140
F-Term (49):
4M119AA08 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD10 ,  4M119DD22 ,  4M119DD23 ,  4M119DD24 ,  4M119DD25 ,  4M119DD26 ,  4M119DD27 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF13 ,  4M119FF16 ,  4M119GG02 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB25 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB45 ,  5F092BB53 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43 ,  5F092BC46
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
Show all

Return to Previous Page