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J-GLOBAL ID：200903045179951370

電子デバイス及びその製造方法

Inventor： 小松 隆宏 ,  行徳 明 ,  原 慎太郎 ,  中島 寛 ,  高 大為 ,  村岡 克紀 ,  古川 勝彦
Applicant, Patent owner： 九州松下電器株式会社 ,  中島 寛
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999262052
Publication number (International publication number)：2001085157
Application date： Sep. 16, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 有機エレクトロルミネッセンス素子をはじめとする電子デバイスに、低温で成膜でき、かつ緻密で外部からの水分、酸素等の侵入を防ぐことが可能な保護膜が形成された電子デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 電気的に機能する電子デバイスであって、その外表面の少なくとも一部分がECRプラズマスパッタリング法によって形成されたシリコン窒化酸化物(SiON)によって保護されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも一層の保護膜によって保護されている電子デバイスの製造方法であって、この保護膜の形成がECR(electron cyclotron resonance)プラズマスパッタリング法によって行われることを特徴とする電子デバイスの製造方法。

IPC (5)：

H05B 33/04 ,  G09F 9/00 302 ,  G09F 9/00 342 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (5)：

H05B 33/04 ,  G09F 9/00 302 ,  G09F 9/00 342 C ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

F-Term (20)：

3K007AB00 ,  3K007AB12 ,  3K007AB13 ,  3K007BB00 ,  3K007BB01 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  3K007FA03 ,  5G435AA07 ,  5G435AA13 ,  5G435BB05 ,  5G435FF08 ,  5G435GG25 ,  5G435KK10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 発光素子及び発光素子用の保護材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-269218   Applicant：カシオ計算機株式会社
• 有機電界発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-311803   Applicant：三菱化学株式会社
• 磁気ディスクの作製方法及びそれを用いた磁気記録装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-148931   Applicant：株式会社日立製作所, 日立マクセル株式会社
• 化合物半導体受光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-057705   Applicant：株式会社日立製作所