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J-GLOBAL ID：200903045256187581
レジストパターン形成方法、デバイスの作製方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003024783
Publication number (International publication number)：2004235574
Application date： Jan. 31, 2003
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：
【課題】レジスト膜上にナノメータサイズのパターニングを施す。【解決手段】レジスト膜22を構成する分子間の共鳴エネルギーに相当する光の波長よりも長いいわゆる非共鳴光をフォトマスク13に対して照射し、当該フォトマスク13に描かれた回路パターンに基づき、ナノメータサイズの領域に近接場光を発生させ、発生させた近接場光によりレジスト膜22を感光させることにより、回路パターンをレジスト膜22上に転写したレジストパターンを形成する。このレジストパターンに基づいてデバイスの微細加工も実現することができる。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
フォトマスクに描かれた回路パターンを試料の表面に塗布したレジスト膜上に転写するレジストパターン形成方法において、
フォトマスクに対して、上記レジスト膜を構成する分子間の共鳴エネルギーに基づく波長より長い光を照射することにより、上記回路パターンに応じた局所領域に近接場光を発生させ、
上記発生させた近接場光により上記レジスト膜を感光させること
を特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L21/30 502D
, G03F7/20 521
