化学増幅型ホトレジスト組成物

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：竹本松司 , 杉山秀雄 , 湯田浩一 , 魚住高博 , 手島直彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004085353
Publication number (International publication number)：2004302463
Application date： Mar. 23, 2004
Publication date： Oct. 28, 2004
Summary：

【課題】現在一般的に行なわれているリソグラフィー工程、特に波長193nm光源のリソグラフィー工程に対して、良好なリソグラフィー図形、解析度、輪郭と感光度を得られるようにする化学増幅型ホトレジスト組成物の提供。【解決手段】一般式(I)で示される構造ユニットを具えた高分子ポリマーであり、【化191】そのうち、R1 はH、又はC1 -C4 のアルキル基、或いはCF3 、QはC4 -C12の環状アルキル基、R2 はH、又はC1 -C4 のアルキル基、或いはCF3 、R3 はC4 -C12の分岐或いは環状アルキル基、且つx+y+z=1である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

以下の一般式(I)に示される構造ユニットを具えた高分子ポリマーを含有する化学増幅型ホトレジスト組成物であり、

IPC (4)：

G03F7/039 , C08F220/12 , G03F7/033 , H01L21/027

FI (4)：

G03F7/039 601 , C08F220/12 , G03F7/033 , H01L21/30 502R

F-Term (44)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025FA17 , 4J100AE09Q , 4J100AK32R , 4J100AL03P , 4J100AL04P , 4J100AL05P , 4J100AL08P , 4J100AL08S , 4J100AL69P , 4J100AL71P , 4J100BA03S , 4J100BA04P , 4J100BB18P , 4J100BC02S , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100BC07P , 4J100BC07Q , 4J100BC09P , 4J100BC09Q , 4J100BC09S , 4J100BC53P , 4J100BC58P , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100DA22 , 4J100DA25 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許第6,306,554号明細書

Cited by examiner (4)

ポジ型感光性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-003702 Applicant：富士写真フイルム株式会社
アダマンチルアルキルビニルエーテルの共重合体を含む感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-176840 Applicant：三星電子株式会社
感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物と、フォトレジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-009484 Applicant：三星電子株式会社

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