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J-GLOBAL ID:200903045272787700

絶縁被覆ボンディング細線

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大関 和夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995097207
Publication number (International publication number):1996293517
Application date: Apr. 21, 1995
Publication date: Nov. 05, 1996
Summary:
【要約】【目的】 高密度半導体実装のための信頼性の高いボンディング細線を供給することを目的とする。【構成】 金属線単体で引張り試験により破断させたときの細線の破断強度が1.88×106 N/m2 以上で4.76×106 N/m2 以下である金属線の表面に高分子材料の絶縁膜を被覆したことを特徴とする絶縁被覆ボンディング細線。【効果】 ボンディングによる接合性に優れ、歩留りよく、しかも信頼性のある半導体装置の製造が可能な絶縁被覆ボンディング細線が提供される。
Claim (excerpt):
金属線単体で引張り試験により破断させたときの細線の破断強度が1.88×106 N/m2 以上で4.76×106 N/m2 以下である金属線の表面に高分子材料の絶縁膜を被覆したことを特徴とする絶縁被覆ボンディング細線。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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