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J-GLOBAL ID：200903045388053401

窒化膜形成方法

Inventor： 原 民夫 ,  増子 真吾 ,  谷口 和成 ,  右高 正俊 ,  佐田 登志夫
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社 ,  学校法人トヨタ学園
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999362366
Publication number (International publication number)：2001176870
Application date： Dec. 21, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 窒化膜を低温で形成する。【解決手段】 電子ビーム励起プラズマ法を用いて窒素ガスを解離する。電源11で電極16、18間に電圧Vaを印加し、電子を加速してビームとし、窒素ガスに照射してプラズマ化する。電子ビームに平行に基板22を配置し、ヒータ20で加熱する。電子ビームを用いることで2%以上の解離度を達成し、これにより400度より低い温度で基板22上に窒化膜を形成できる。基板22としてシリコンを用いることでシリコンを窒化し、直接シリコン窒化膜を形成する。

Claim (excerpt)：

N含有ガスに電子ビームを照射することにより前記N含有ガスを解離させ、基板上に窒化膜を形成することを特徴とする窒化膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/318 A ,  H01L 21/283 N ,  H01L 29/78 301 G

F-Term (22)：

4M104AA01 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F040DA19 ,  5F040ED04 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BC08 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BF60 ,  5F058BF72 ,  5F058BF74 ,  5F058BF75 ,  5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 表面処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-096817   Applicant：株式会社東芝, 東京エレクトロン山梨株式会社
• プラズマシリコンナイトライド膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-197026   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭62-030339
  
• 混合ガスプラズマ制御装置およびその方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-081622   Applicant：理化学研究所